全国热线
HOTLINE
18688662809
网站首页
关于力宏微
公司介绍
企业文化
产品中心
中低压MOSFET
超级结功率MOSFET
高压MOSFET
FRD
IGBT
SiC功率器件
应用领域
汽车电子行业
电机控制和驱动行业
电源行业
智能家居行业
设备&测试
新闻中心
公司新闻
行业新闻
员工新闻
招贤纳士
联系我们
产品中心
中低压MOSFET
超级结功率MOSFET
高压MOSFET
FRD
IGBT
SiC功率器件
当前位置:
首页
>
产品中心
>
IGBT
LH-Product
Vces(V)min.
ICmin.(A)@100℃
Vces(SAT)(V)typ.
Tr(nS)typ.
Td(on)(nS)typ.
Tf(nS)typ.
Td(off)(nS)typ.
Diode Characteristices(typ.)
Package
Trr(nS)
Qrr(nC)
LHG15N1200
1200
15
1.8
65
80
80
180
200
1.1
TO-247
LHG20N1350
1350
20
1.8
195
90
110
375
150
1.2
TO-247
LHG25N1350
1350
25
2
40
180
90
220
460
3.6
TO-247
共2页 页次:2/2页
首页
上一页
1
2
下一页
尾页
版权所有 :广东力宏微电子有限公司
粤ICP备18145082号
搜索动力提供网站建设
在线
客服
微信
公众号
返回
顶部