全国热线
HOTLINE
18688662809
网站首页
关于力宏微
公司介绍
企业文化
产品中心
中低压MOSFET
超级结功率MOSFET
高压MOSFET
FRD
IGBT
SiC功率器件
应用领域
汽车电子行业
电机控制和驱动行业
电源行业
智能家居行业
设备&测试
新闻中心
公司新闻
行业新闻
员工新闻
招贤纳士
联系我们
产品中心
中低压MOSFET
超级结功率MOSFET
高压MOSFET
FRD
IGBT
SiC功率器件
当前位置:
首页
>
产品中心
>
IGBT
LH-Product
Vces(V)min.
ICmin.(A)@100℃
Vces(SAT)(V)typ.
Tr(nS)typ.
Td(on)(nS)typ.
Tf(nS)typ.
Td(off)(nS)typ.
Diode Characteristices(typ.)
Package
Trr(nS)
Qrr(nC)
LHG05N650
650
5
1.6
16
12
28
58
70
145
TO-252
LHG05N650
650
5
1.6
16
12
28
58
70
145
TO-220F
LHG10N650
650
10
1.5
20
13
60
47
54.6
1.13
TO-263
LHG10N650
650
10
1.5
20
13
60
47
54.6
1.13
TO-220F
LHG10N650
650
10
1.5
20
13
60
47
54.6
1..13
TO-220
LHG15N650
650
15
1.6
16.7
12.9
31
82
150
1.24
TO-220F
LHG15N650
650
15
1.6
16.7
12.9
31
82
150
1.24
TO-220
LHG20N650
650
20
1.6
56
16
82
52
254
347
TO-263
LHG20N650
650
20
1.6
56
16
82
52
254
347
TO-220
LHG30N650
650
30
1.8
43.2
26.5
42.3
86
155
84.8
TO-247
LHG40N650
650
40
2.1
65.8
38.2
35
100
120
21
TO-247
LHG75N650
650
75
1.75
40
45
56
168
24.5
20.6
TO-247
共2页 页次:1/2页
首页
上一页
1
2
下一页
尾页
版权所有 :广东力宏微电子有限公司
粤ICP备18145082号
搜索动力提供网站建设
在线
客服
微信
公众号
返回
顶部